Реклама:

Не стоит начинать разработку импульсного преобразователя напряжения, не познакомившись с интегральными микросхемами компании Maxim, специально предназначенными для этой цели. Правда, КМОП-технология плохо приспособлена для работы с напряжениями выше 15 В. Две уловки позволяют более-менее удачно обойти это препятствие: во-первых, использование повышающего трансформатора вместо обычного дросселя, во-вторых — применение внешнего ключевого транзистора (при этом схему управления можно питать пониженным напряжением).

Схема, представленная на рис. 3.24, выполнена на базе микросхемы МАХ 643, не имеющей встроенного силового МОП-транзистора и предназначенной для использования в преобразователях с относительно большими токами.

I В классической схеме, приведенной на рис. 3.25, можно также использовать микросхемы МАХ 641,642 и 643. При этом меняется только выходное напряжение (в основной схеме включения).

В данном случае микросхема включена иначе, так как в схеме задействован вывод 7 (VFB). При наличии внешнего делителя с помощью этого входа можно регулировать выходное напряжение в очень широких пределах; кроме того, в таком включении можно использовать любой из трех типов, указанных на рис. 3.24.

Другая особенность схемы состоит в том, что контакт 5 (VOUT) подключен ко входу преобразователя, а не к выход}; напряжение на котором для этого слишком велико.

В качестве силового ключа использован мощный МОП-транзистор типа BUZ 11, способный коммутировать токи до 30 А. Подобный запас может показаться излишним, но транзистор достаточно де н и к тому же позволяет получить очень низкое проходное

Импульсный преобразователь 5-12 В/21В

Рис 3.25. Схема применения микросхемы МАХ 643

сопротивление (0,04 Ом). Можно, впрочем, довольствоваться и менее мощными (хотя идентичными по размеру) транзисторами, например IRFZ 14, без заметного ухудшения параметров схемы.

Всем известно, что в такой схеме важнейшую роль играет дроссель. Вопреки первоначальным предположениям, индуктивность дросселя должна быть тем меньше, чем больше требуемый ток нагрузки.

Импульсный преобразователь 5-12 В/21В

Рис 3.26. Цоколевко микросхемы MAX 643

Это объясняется тем, что индуктивность ограничивает изменение тока тем сильнее, чем больше ее величина, а сам принцип импульсного преобразования энергии основан на изменении тока в дросселе. Поэтому в описанной выше схеме рекомендованная для стандартной схемы индуктивность дросселя 18 мкГн увеличена до 100 мкГн, и схема имеет следующие параметры:

• 21 В/26 мА при+5 В; - 21 В / 75 мА при+9 В;

• 21 В / 100 мА при +12 В.

При этом использован стандартный дроссель, который удобнее намотанного на ферритовом кольце, особенно с учетом частоты преобразования и, главное, тока нагрузки. Наиболее подходящая модель - это KGAD компании COREL Electronique (похожа на резистор размером 11x4 мм). Модель 100 мкГн может работать без насыщения при токах до 400 мА.

Что касается диода, то основное требование, которое к нему предъявляется, - скорость восстановления обратного сопротивления. Хорошо подходит, например, 1N 4935, но можно обойтись и ВАТ 86 (диод Шоттки), ограничив пиковый ток диода на уровне 500 мА.

Два источника питания 21 В для чип-карт || Оглавление || Преобразователь 10 В/21В с переключаемыми конденсаторами /с накачкой заряда/