Реклама:

Типы ОЗУ и производительность

В вопросах производительности памяти наблюдается некоторая путаница, поскольку обычно она измеряется в наносекундах, в то время как быстродействие процессоров — в мегагерцах и гигагерцах. В новых быстродействующих модулях памяти быстродействие измеряется в мегагерцах, что дополнительно усложняет ситуацию. К счастью, перевести одни единицы измерения в другие не составляет труда.

Наносекунда — это одна миллиардная доля секунды, т.е. очень короткий промежуток времени. В частности, скорость света в вакууме равна 299 792 км/с, т.е. за одну миллиардную долю секунды световой луч проходит расстояние, равное всего 29,98 см, т.е. меньше длины обычной линейки.

Быстродействие микросхем памяти и систем в целом выражается в мегагерцах (МГц), т.е. в миллионах тактов в секунду, или же в гигагерцах (ГГц), т.е. в миллиардах тактов в секунду. Современные процессоры имеют тактовую частоту от 2 до 4 ГГц, хотя гораздо большее влияние на их производительность оказывает их внутренняя архитектура (например, многоядер-ность). Ранее были приведены формулы, позволяющие преобразовывать единицы измерения быстродействия. В табл. 6.3 представлена зависимость между быстродействием, выраженным в наносекундах (не) и в мегагерцах (МГц).

Как можно заметить, при увеличении тактовой частоты продолжительность цикла уменьшается.

В ходе эволюции компьютеров для повышения эффективности обращения к памяти создавались различные уровни кэширования, позволяющие перехватывать обращения процессора к более медленной основной памяти. Только недавно модули памяти DDR, DDR2 и DDR3 SDRAM сравняли свою производительность с шиной процессора. Когда частоты шин процессора и памяти равны, производительность памяти становится оптимальной для конкретной системы.

Так, из табл. 6.3 видно, что модули DRAM, использовавшиеся в первых версиях Pentium и Pentium II до 1198 года, работали на частоте всего 16,7 МГц. При этом сами процессоры работали с частотой до 300 МГц при частоте шины 66 МГц. Все это приводило к глобальным диспропорциям в производительности процессора и памяти. Однако начиная с 1998 года промышленность перешла к выпуску более быстродействующих модулей SDRAM, способных работать на частоте шины 66 МГц. С тех пор основное внимание уделялось выравниванию быстродействия памяти и процессора.

К 2000 году скорость шины процессора и памяти увеличилась до 100 и даже 133 МГц (эти модули назывались РС100 и РС133 соответственно). В начале 2001 года быстродействие памяти удвоилось и стало равным 200 и 266 МГц; в 2002 году выпускались модули памяти DDR

со скоростью 333 МГц, а в 2003 году — 400 и 533 МГц. В 2005 и 2006 годах рост быстродействия памяти соответствовал росту скорости шины процессора — от 667 до 800 МГц. В 2007 году скорость памяти ООЯ2 была доведена до 1066 МГц, и одновременно с этим была выпущена память ООЯЗ с такой же и более высокой частотой. В табл. 6.4 перечислены основные типы модулей памяти и их быстродействие.

Таблица 6.4.

Типы и производительность компьютерной памяти

   

Тип памяти

Пик популярности, годы

Тип модуля

Напряжение, В

Макс, тактовая частота, МГц

Макс, пропускная способность одноканальной памяти, Мбайт/с

Макс, пропускная способность двухканальной памяти, Мбайт/с

FPM DRAM

1987-1995

30/72-контактный SIMM

5

22

177

EDO DRAM

1995-1998

72-контактный SIMM

5

33

266

SDR SDRAM

1998-2002

168-контактный DIMM

3,3

133

1066

Rambus DRAM

2000-2002

184-контактный RIMM

2,5

1066

2133

4266

DDR SDRAM

2002-2005

184-контактный DIMM

2,5

400

3200

6400

DDR2SDRAM

2005-2008

240-контактный DDR2 DIMM

1,8

1066

8533

17066

DDR3 SDRAM

2008+

240-контактный DDR3 DIMM

1,5

1600

12800

25600

EDO. Extended Data Out (расширенные возможности вывода данных).


⇐ Предыдущая страница| |Следующая страница ⇒