Реклама:

Сегодня все большую популярность приобретает технология SOI (silicon on insulator — кремний на изоляторе). Она приходит на смену классической технологии CMOS. Компания AMD применяет технологию SOI при производстве 0,09-микронных процессоров. Ожидает-

ся, что технология SOI, которая обеспечивает большую степень изоляции по сравнению со CMOS, будет становиться все более и более популярной.

Когда обработка круговой подложки завершится, на ней будет фотоспособом отпечатано максимально возможное количество микросхем. Микросхема обычно имеет форму квадрата или прямоугольника, по краям подложки остаются некоторые "свободные" участки, хотя производители стараются использовать каждый квадратный миллиметр поверхности.

Промышленность переживает очередной переходный период в производстве микросхем. В последнее время наблюдается тенденция к увеличению диаметра подложки и уменьшению общих размеров кристалла, что выражается в уменьшении габаритов отдельных схем и транзисторов, а также расстояния между ними. В конце 2001 и начале 2002 года произошел переход с 0,18- на 0,13-микронную технологию, вместо алюминиевых межкристальных соединений начали использовать медные, при этом диаметр подложки увеличился с 200 мм (8 дюймов) до 300 мм (12 дюймов). Увеличение диаметра подложки до 300 мм позволяет удвоить количество изготавливаемых микросхем. Использование 0,13- и 0,09-микронной технологии дает возможность разместить на кристалле больше транзисторов при сохранении его приемлемых размеров и удовлетворительного процента выхода годных изделий. Это сохраняет тенденцию увеличения объемов кэш-памяти, встраиваемой в кристалл процессора. Предполагается, что к 2010 году количество транзисторов, расположенных в каждой микросхеме, достигнет миллиарда.

В качестве примера того, как это может повлиять на параметры определенной микросхемы, рассмотрим процессор Pentium 4. Диаметр стандартной подложки, используемой в полупроводниковой промышленности в течение уже многих лет, равен 200 мм или приблизительно 8 дюймов. Таким образом, площадь подложки достигает 31416 мм2. Первая версия процессора Pentium 4, изготовленного на 200-миллиметровой подложке, содержала в себе ядро Willamette, созданное на основе 0,18-микронной технологии с алюминиевыми контактными соединениями, расположенными на кристалле площадью около 217 мм2. Процессор содержал 42 млн. транзисторов. На 200-миллиметровой (8-дюймовой) подложке могло разместиться до 145 подобных микросхем.

Более современные процессоры Pentium 4 с ядром Northwood, созданные по 0,13-микронной технологии, содержат медную монтажную схему, расположенную на кристалле площадью 131 мм2. Этот процессор содержит уже 55 млн. транзисторов. По сравнению с версией Willamette ядро Northwood имеет удвоенный объем встроенной кэш-памяти второго уровня (512 Кбайт), что объясняет более высокое количество содержащихся транзисторов. Использование 0,13-микронной технологии позволяет уменьшить размеры кристалла примерно на 60%, что дает возможность разместить на той же 200-миллиметровой (8-дюймовой) подложке до 240 микросхем. Как вы помните, на этой подложке могло разместиться только 145 кристаллов Willamette.


⇐ Предыдущая страница| |Следующая страница ⇒